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多晶TiO_2氧敏特性及其机制的研究

         

摘要

研究了多晶金红石TiO2氧敏半导体材料的氧敏特性及其机制。结果表明,表征TiO2导电机制的特性参数m并非常数,它与杂质浓度、温度、氧分压等多种因素有关。本文认为,TiO2的主要点缺陷由不同电离状态的氧空位所构成,该模型可以解释有关的实验结果。

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