细胞色素C在汞表面生长性质的AFM研究--吸附自组装机理

摘要

利用原子力显微镜对细胞色素C在汞表面生长过程进行研究,发现细胞色素C在汞表面首先形成的是高度稍大于1 nm的吸附单分子层,随着生长时间的增加,吸附在汞表面的细胞色素C分子和溶液中的分子间相互作用,自组装形成生长活性点,生长速度明显加快,生长时间达到8 min时,细胞色素C能形成底郜直径达527 nm,高度达138 nm,分布密度约为1.2～2.3个/μm2的细胞色素C分子集聚体.生长机理是吸附自组装机理.细胞色素C的浓度较大地影响其在Hg表面的自组装平衡,随着浓度的减少,细胞色素C所能形成的最大分子集聚体的高度和数目都随之减少,浓度与平均表现高度是非线性的关系.