STM研究Si(111)7×7表面畴界结构

摘要

根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了畴界形成过程中这些畴界结构的三个重要因素：（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄ ｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄ ｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。