蠕变TiAl基合金形变孪晶的形成

摘要

@@ TiAl基合金密度低,比强度高,具有良好的高温强度和抗蠕变,抗氧化能力.在航空,汽车,能源工业等方面有很大的应用前景[1].最近Hsing等人[2,3]研究了片层界面位错和形变孪晶对二相全片层TiAl合金蠕变变形的影响.在低应力(138MPa)和小应变(0.5%)时主要是可动界面位错及片层(111)界面上晶格位错的滑动.在低应力(138MPa)和大应变(1.5%)时,界面有更多的位错塞积,塞积导致局部应力升高,引起形变孪晶,形变孪晶的数量很少.在高应力(518MPa)和小应变(0.67%)时,蠕变过程中有连续的形变孪晶生成,但形变孪晶的密度还是较低.