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肖柏青; 戎贵文; 刘丽红;
安徽理工大学地球与环境学院,安徽淮南232001;
水跃; 悬栅消力池; VOF法; 数值模拟;
机译:三重材料栅叠栅全能(TMGSGAA)MOSFET光学特性的数值模拟
机译:底栅和双栅非晶In-Ga-Zn-O MESFET的二维数值模拟
机译:柔性悬栅有机薄膜晶体管,用于超灵敏压力检测
机译:具有金属跨栅架构的低压SOI悬栅MOSFET(SG-MOSFET)的建模和设计
机译:支撑栅叶片角度对杆束子通道内单相传热的影响
机译:柔性悬栅有机薄膜晶体管用于超灵敏压力检测
机译:降阶式消力池中流动再附着长度的数值模拟。
机译:消力池,能量分配器和相关附属物的研究 - 第14节,第6节的修改(管道或明渠出口的消力池 - 盆地Vi)
机译:具有l-个锥形悬栅-栅电极的非易失性存储器及其制造方法
机译:包括交叉耦合晶体管的集成电路,该交叉耦合晶体管具有在栅级特征内形成的栅电极,布局通道具有至少两个栅电极通过形成栅级特征的另一晶体管彼此电连接
机译:包括交叉耦合的晶体管的集成电路,该交叉耦合的晶体管具有在栅级内形成的栅电极的特征布局通道,该布局通道具有至少两个不同的栅级特征在栅电极之外的内部延伸
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