在193nm关于Si2分子的离子解离动力学的成像研究（英文）

摘要

在193nm的单色激光实验中,本文利用时间切片离子速度成像技术,研究了经193nm双光子电离得到的Si2+的解离反应动力学过程.根据实验得到的Si+离子的速度成像,观测到了两种离子直接解离通道:Si(3Pg)+Si+(2Pu)和Si(1D2)+Si+(2Pu).电子基态的Si2分子处于v=0∽5的振动态上,其经过双光子电离后激发到Si2+离子的多个电子激发态势能面,生成主要通道Si(3Pg)+Si+(2Pu),其中v=1的解离信号最强.此外,由于势能曲线22Πg与32Πg相同对称性引起的避免性势能面交叉,生成次要反应通道Si(1D2)+Si+(2Pu).通道Si(1D2)+Si+(2Pu)的产物亦可以由生成的基态Si2+(X4Σg-)吸收一个193 nm光子后解离得到,其对应产物则具有更大的动能.