Mg／硫化GaSb（100）界面的同步辐射光电子能谱研究

摘要

利用同步辐射光电子谱,研究了[NH_4]_2S_x处理GaSb(100)表面的成键特性和化学组成及室温下Mg淀积到钝化GaSb表面的界面反应和电子结构.结果发现,经过[NH_4]_2S_x处理的GaSb表面,Ca和Sb的氧化物消失,生成Ga和Sb薄层硫化物钝化层.钝化样品退火处理后,Sb_xS_y 硫化物不稳定,分解或进一步与衬底GaSb反应生成单质Sb和GaS成分.室温下,金属Mg淀积到该钝化表面,它与表面GaS成分发生置换反应,生成金属Ca偏析到外表面,而硫以化合态形式保留在界面,Mg淀积在[NH_4]_2S_x处理n-GaSb(100)表面肖特基势垒的形成,由SRPES方法首次测得为0.3eV.