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孙玉明; 徐彭寿;
中国科学技术大学同步辐射实验室;
钆; 质量作用定律; 氧化镁薄膜; 吸附; 生长; 团簇;
机译:CO吸附在金属氧化物表面(ZrO 2 sub>(110),MgO(100),CeO 2 sub>(110))上的Pd吸附CO的基本原理研究
机译:一氧化氮和一氧化碳在沉积在Mo(110)上形成的MgO(111)膜上的镍簇上的共吸附
机译:用MOCVD对钆镓石榴石(110)上制备的β-GA2O3薄膜结构和光学性质的影响
机译:L10扫描薄膜在MgO(110)衬底上的制造和磁性,PT底层
机译:乙炔在铁(110)上的吸附前体在吸附中的作用(吸附,乙炔,前体)。
机译:MgO(001)衬底上的薄膜PdFe / VN和VN / PdFe双层薄膜的外延生长和超导性能
机译:在MgO上的Fe3O4(110)薄膜上的扫描隧道显微镜和光谱学
机译:srTiO(sub 3)(100)上的外延pb(Zr(sub x)Ti(sub 1(minus)x))O(sub 3)/ srRuO(sub 3)(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)
机译:在(110)MgO衬底上沉积含Tl的超导薄膜的方法
机译:用于形成PDP的氧化镁(mgo)薄膜层的糊剂和使用该糊剂制造氧化镁(mgo)薄层的方法
机译:基于VTvaf17基因治疗DNA载体的基因治疗DNA载体,其携带选自ANG,ANGPT1,VEGFA,FGF1,HIF1α,HGF,SDF1,KLK4,PDGFC,PROK1,PROK2的靶基因以增加这些靶标的表达水平基因,方法的制备和使用,大肠杆菌菌株SCS110-AF / VTvaf17-ANG或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-ANGPT1或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-VEGFA或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-Fichia-SC110 AF /VTvaf17-HIF1α或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-HGF或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-SDF1或大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-KLK4或大肠杆菌SCS110-AF / VTviFi10 S1携带基因治疗DNA载体的大肠杆菌SCS110-AF / VTvaf17-PROK2,其制备方法,工业生产基因治疗DNA载体的方法
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