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李青龙;
常州工学院电子信息与电气工程学院,江苏,常州,213002;
超深亚微米; Si-MOSFET; 栅介质; 击穿;
机译:使用大栅金属高度的GaN沟道和AlGaN沟道HEMT中的击穿电压增强
机译:栅电极/电介质界面对薄栅氧化物n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声的影响
机译:具有极浅的源极-漏极结的亚微米级栅长p沟道和n沟道MOSFET
机译:n沟道亚微米Si-MOSFET的电子加热仿真
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:栅氧化层击穿对深亚微米NmOsFET射频噪声的影响
机译:蓝宝石绝缘栅场效应晶体管(IGFET)上N沟道硅的电子辐照
机译:超深亚微米工艺中的输入缓冲器
机译:超深亚微米工艺中的输入缓冲
机译:具有较大的ε并通过串联电阻外延减小半导体电阻的金属栅电极结构的n沟道晶体管的制造方法-在漏极和源极区域以及n沟道晶体管
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