Sb2(SSe)3薄膜的两步法制备及其在太阳电池中的应用

摘要

本文首先采用磁控溅射工艺在FTO衬底上沉积Sb2S3薄膜,然后通过Se化处理工艺制备Sb2 (SSe)3薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜及紫外-可见分光光度计对薄膜的结构及光学性能进行了分析.在此基础上,初步制备了上衬底结构的太阳电池器件并对其性能进行了测试.结果表明,随着Se化温度的提高,所制备的Sb2(SSe)3薄膜晶粒逐渐变大,同时光学带隙逐渐降低.这主要是由于在Se化过程中,Se原子替代Sb2S3中S原子的位置所造成的.所制备的太阳电池器件开路电压达到了469.3 mV,二极管理想因子为2.6,反向饱和电流为3.389×10-8 A.