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刘其军; 刘正堂; 冯丽萍; 许冰;
西北工业大学,材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;
四方晶相FfO2; 电子结构 ; 弹性系数 ; 第一性原理 ;
机译:压力下四方HfO2的结构,弹性和电子性质的第一性原理计算
机译:四方BaTiO_3的二阶弹性常数和状态方程的第一性原理计算
机译:掺杂P-SiC的电子结构和弹性常数的第一性原理计算
机译:砷掺杂β-SiC的电子结构和弹性常数的第一性原理计算
机译:通过第一性原理计算得出钙钛矿和有机光电子材料的相稳定性和电子结构。
机译:掺杂钇的ZnO单层空位的电子结构和光学性质的第一性原理计算
机译:通过符号数字计算进行第一性原理电子结构计算的方法
机译:LiF,NaCl和mgO(100)表面的表面能和电子结构的第一性原理计算
机译:高深宽比深沟槽内的热稳定高K四方HFO2层
机译:确定电子结构使用寿命的装置,例如电气转换器,具有计算单元,可根据确定的温度和电子结构的电气尺寸来计算电子结构的使用寿命
机译:弹性常数测量装置,弹性常数测量方法,程序和计算机可读存储介质
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