GaAs中Te施主杂质的EER谱

摘要

本文用EER谱技术,在室温下对掺Te砷化镓(n=1×10^(18)cm^(-3))样品进行了测量,对杂质的ER谱结构E_1进行了分析,提出了电调制浅杂质态的物理模型,用F-K效应定性解释了杂质的ER谱.通过与未掺杂GaAs(n=7.7×10^(14)cm^(-3))的ER谱相比较,定出了E_1结构的线型及位置.