首页> 中文期刊>北京师范大学学报:自然科学版 >强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

摘要

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Rydberg能量R^*比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号