液位沉降法制备ITO薄膜及其光电性能研究

摘要

采用自制的液位沉降制备薄膜装置在普通玻璃衬底上沉积了ITO薄膜,并对实验条件进行正交设计以考察制备ITO薄膜的最优条件.结果表明,采用液位沉降法成功地制备出ITO薄膜.该装置结构简单、操作方便.影响ITO薄膜光电性能的主要因素是镀膜层数,在进行的实验中,制备ITO薄膜的优化条件为:注射回抽速度为2.5 cm/min,膜层数为20层,装置倾斜角度为30°,在300℃下预处理5 min,500℃下退火处理2h,得到的薄膜的透光率为88.3％,方块电阻为970 Ω/□.