MO2（M=Ti,Ge,Sn）晶体中替位V4+自旋哈密顿参量研究

摘要

基于离子簇模型，应用斜方畸变八面体中3d^1电子的EPR参量微扰公式，研究了MO2（M=Ti，Ge，Sn）晶体（金红石型）中替位V^4＋的EPR参量，发现由于V^4＋取代晶体中阳离子而引起的姜泰勒（Jahn—Teller）效应，将导致杂质离子局部结构形成微小压缩八面体．进一步考虑了配体轨道及旋轨耦合作用和杂质离子周围的畸变对自旋哈密顿参量的贡献，结果与实验符合的更好．