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胡木宏; 刘博文; 徐恩慧; 马玉龙; 吴勇;
辽宁师范大学物理与电子技术学院 大连116029;
北京应用物理与计算数学研究所 北京100094;
多组态Dirac-Fock方法; 类锂等电子序列; 1s22p态精细结构劈裂; 电荷密度;
机译:激发态1s2np沿着Z = 11到20的锂等电子序列的行为
机译:锂等电子序列的三态激发态的密度泛函计算
机译:高性能的In-Zn-O类FET具有高的导通电流和超低(<10 ?20 SUP> A /μm)的关态泄漏电流为硅CMOS BEOL应用
机译:20mgβ衰减和I型X射线突发中的150(α,γ)20na(p,γ)20na反应序列
机译:杂交的局部和电荷转移激发态荧光团使有机发光二极管能够记录高效率接近20%
机译:位置和动量空间中锂等电子序列在(1s²2s)²S和(1s²2p)²P态的电子相关
机译:sup 20 Ne,sup 24 mg和sup 28 si中低激发等电子态的电子和质子散射分析
机译:54,56,58,60 u0434 u0438 u0438 u043d u0434 u0438 u0439(iii) u0434 u0438 u0445 u043b u043e u0440-6,11,19,24,32,37,45 ,50 u0442 u0435 u0442 u0440 u0430 u0438 u043c u0438 u043d u043e-5,52,13,18,20,31,39,44 u0442 u0435 u0442 u0440 u0430 u043d u0438 u0442 u0440 u0438 u043b u043e u043a u0442 u0430 u0431 u0435 u043d u0437 u043e [c,d,e,r,a,dh(1,10,19,28)- u0442 u0435 u0442 u0440 u0430 u0430 u0437 u0430 u0446 u0438 u043a u043b u043e u0433 u0435 u043a u0441 u0430 u0442 u042 u0440 u0438 u0430 u043a u043a u043e u0442 u0438 u043d为 u043f u043e u043b u0443 u043f u0440 u043e u0432 u043e u0434昵称
机译:用于在砌块机中制造的非常规尺寸的20x20x40、10x20x40和“ U” 20x20x20模制建筑组件的生产程序。
机译:具有npi 53 y5受体拮抗活性的胺衍生物a61p 3/04 a61p 9/04 a61p 9/12 a61p 15/00 a61p 25/08 a61p 25/20 a61p 25/24 a61p 43/00 c07c 311/07 c07c 317/36 c07d 207/325 c07d 211/14 c07d 213/38 c07d 213/74 c07d 213/82 c07d 215/38 c07d 217/04 c07d 217/14 c07d 217/22 c07d 219/10 c07d 231/38 c07d 233/61 c07d 235 / 30 c07d 237/20 c07d 237/22 c07d 237/34 c07d 239/42 c07d 241/20 c07d 261/14 c07d 261/20 c07d 263/58 c07d 265/30 c07d 265/36 c07d 267/14 c07d 275/02 c07d 277/28 c07d 277/62 c07d 277/82 c07d 295/12 c07d 295/18 c07d 333/36 c07d 333/40 c07d 333/66 c07d 333/72 c07d 403/04 c07d 409/04 c07d 413/04 c07d 417 / 12 c07d 498/04 c07d 513/04
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