铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析

摘要

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束 ,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10 kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的 P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品.用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没.用能量3 keV流强为4～6 μA/cm2*!Ar+束, 预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10 kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、 CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异.