静磁场强度对堆心菊种子萌发的生物学效应

摘要

在堆心菊种子萌发进程中附加100 Gs、150 Gs、200 Gs静磁场研究附加持续的静磁场磁环境对花卉种子萌发的效应和规律,为花卉植物育种附加持续的静磁场强度确定有效阈值.结果表明:100 Gs、150 Gs对幼苗的鲜重、干重影响有正效应,200 Gs则有负效应,在静磁场强度上有一个上、下阈值或最适强度;100 Gs静磁场处理与对照相比不仅使种子的发芽率提高12%,也能提高种子的发芽势;随静磁场强度由高到低,对胚根生长发育的效应表现为由正效应逐渐转变为负效应;对堆心菊下胚轴的生长总体上都呈正效应;在侧根发生期间,100 Gs 和150 Gs静磁场处理比200 Gs或对照显著地促进侧根发生(P＜0.05);100～150 Gs的静磁场强度有明显的诱变效果.