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基于IGBT与可控硅控制的强脉冲磁场发生器的设计

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摘要

提出了一种强脉冲发生器的设计方案,应用此方案设计了基于IGBT控制充电、可控硅控制放电、可以自动运行的脉冲磁场发生设备.最大直流电压达到1 200V,在放电线圈中心得到10T的磁场.该设备由1片AT89C52单片机控制其实现自动运行和手动运行,得到最高1Hz的强脉冲磁场,并阐述了磁场的标定方法.

著录项

来源
《仪表技术与传感器》|2006年第12期|56-57,59|共3页
作者
刘春玲; 王旭; 张忠刚; 杜玉远; 徐彬; 李一娜;
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作者单位

东北大学,信息学院,辽宁,沈阳,110004;

东北大学,信息学院,辽宁,沈阳,110004;

沈空专用车辆技术保障队,辽宁,沈阳,110043;

东北大学,信息学院,辽宁,沈阳,110004;

东北大学,信息学院,辽宁,沈阳,110004;

东北大学,信息学院,辽宁,沈阳,110004;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计、性能分析与综合;信息处理（信息加工）;
关键词
脉冲磁场发生器; IGBT; 可控硅;

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