基于MEMS工艺的半导体电阻式气敏元件的研究

摘要

介绍了半导体电阻式气敏元件工作原理,设计了一种基于MEMS工艺的薄膜气敏元件结构,此结构以Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4复合薄膜作为支撑隔热层,蜿蜒状多晶硅作为加热层,梳状Ag电极作为气敏薄膜信号电极,SiO_2作为加热层与Ag电极的绝缘层,并在SiO_2绝缘层上刻蚀通孔形成加热层与金属互连.该结构具有通用性,对不同气敏特性的材料均适用,且易于改进为组合结构或阵列结构.最后,对其工艺进行了阐述.