美国开发出大有前途的砷化镓多层生长技术

摘要

美国伊利诺伊大学香槟分校的一个研究小组提出的一种新的化合物半导体材料层生长方法,已使得诸如近红外成像器之类光伏和光电器件的制备似乎变得更容易了。在使用于砷化镓（GaAs）的这项技术完善之后,这个研究小组希望该方法将能同样适用于氮化镓和磷化铟等其他材料体系（详见NatureV01．465）。