SiC薄膜红外及紫外-可见光谱的研究

摘要

报道了在单晶Si衬底上采用RF磁控溅射技术异质外延生长SiC薄膜的研究.由傅立叶红外谱用双声子组合法计算出SiC的基本声子能量是TO=0.049 eV,LO=0.048 eV,TA=0.0045 eV,LA=0.0078eV;SiC的所有傅立叶红外吸收峰均可用这些声子能量按不同组合方式得到,并在紫外-可见光谱中,光跃迁引起的吸收或放射的声子的能量也可以用这些基本声子能量按不同方式组合得到.