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胡世高;
无;
碲镉汞; 移动加热器法; 单晶生长;
机译:具有加速坩埚旋转技术的行进加热器法的探测器级CD0.9Zn0.1te晶体的生长和表征
机译:碲化银(AgGaTe2)单晶:合成,加速坩埚旋转-布里奇曼生长和表征
机译:硅杂质对使用加速坩埚旋转技术通过Stockbarger生长法制备的镁橄榄石单晶光学质量的影响
机译:通过非接触坩埚法使用小坩埚(〜50cmΦ)生长具有大直径(〜45cmΦ)和高转换效率(≥18%)电池的单晶硅锭
机译:垂直坩埚旋转加速坩埚技术在垂直布里奇曼生长的铟镓铟中的溶质再分布和组织过冷效果。
机译:在自由移动条件下使用动态身体加速度校正特定于活动的心率变异性分量
机译:在加速坩埚旋转条件下通过行进加热器方法生长Hg1-xCdxTe单晶
机译:晶体生长中的里程碑,加速坩埚旋转技术(aCRT)
机译:用溶液生长法生产单晶的装置,用溶液生长法生产单晶的装置生产的单晶,和用单晶生长生产的装置的坩埚用的坩埚
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