生长高均匀性碲镉汞的一种有机金属气相外延新方法

摘要

本文介绍生长碲镉汞（CMT）的一种新方法,它是通过有机金属气相外延（MOVPE）交替地生长出CdTe和HgTe薄层,并使之在生长温度下相互扩散而得到CMT。利用这种方法生长的外延层,纵向和横向都有良好的均匀性,并有反射的表面光洁度。对上好外延层作初步电学测量表明:其电学性质是受汞空位支配,而不是受杂质支配。