HgCdTe注入工艺研究

摘要

HgCdTe是制造焦平面阵列最受关注的材料,注入掺杂又是研制焦平面阵列极有前途的工艺方法。但HgCdTe特性"娇嫩",如Hg易分凝,因此研究这种材料的注入工艺成为首要的条件。考察了注入功率引起样品升温的影响,研究了不同注入能量、束流密度、剂量、元素等与材料之间性能变化的关系。通过离子注入HgCdTe的热学分析,实验研究了HgCdTe注入的工艺条件,束流与注入能量是Hg分凝的主要因素。