铟铈铜铌酸锂晶体光谱特性及抗光损伤能力

摘要

在铌酸锂LiNbO3（LN）中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体。利用Avatar-360型FT-IR红外光谱仪测试了晶体的红外光谱,发现In（3 mol%）:Ce:Cu:LN晶体的OH-吸收峰由LN的3 484 cm-1移到3 508 cm-1。利用WFZ-26A型紫外-可见光分光分度计测试了晶体的紫外可见光谱,发现当In掺量小于3 mol%时,随In掺量的增加,基础吸收边向短波方向移动,即发生紫移,在掺入量达到3 mol%时,基础吸收边红移。采用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光损伤能力,结果表明:In（3 mol%）:Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力比其他样品明显增强,较Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力高出两个数量级。探讨了In:Ce:Cu:LN晶体OH-吸收峰及基础吸收边移动和抗光致散射能力增强的机理。