ITO/HgInTe肖特基的光电特性

摘要

碲铟汞Hg3In2Te6是（In2Te3）x-（Hg3Te3）1-x（x=0.5）的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层。运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO（SnO2+In2O3）/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论。结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HgInTe的肖特基势垒高度为0.506eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2600Ω;In/HgInTe形成欧姆接触。并且发现了在波长1.55μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1。