采用含掺杂半导体光子晶体的太赫兹梳状滤波器

摘要

用a介质（n型掺杂GaAs）和b介质（TiO2）组成一含缺陷层的光子晶体。数值计算表明:此光子晶体在3.0~4.5THz范围内出现了5个透射率为1的缺陷模,这些缺陷模有如下特征:当n型掺杂GaAs的掺杂浓度n由1017/cm3增加到1019/cm3时,缺陷模的中心、半峰全宽度和透射率均保持不变,但若n增至1020/cm3,则缺陷模的透射率开始下降。入射角增加,缺陷模的透射率保持不变,但其中心发生蓝移,移动率为变量,且半峰全宽度变窄。a、b两介质或缺陷层c的几何厚度分别增加时,缺陷模的透射率和半峰全宽度分别保持不变,中心位置红移。这些现象为此类光子晶体实现太赫兹频段的梳状滤波提供了理论指导。