GaAs肖特基二极管的250 GHz二次谐波混频器研究

摘要

基于Hammer-Head型滤波器结构,以及三维电磁软件所构建的肖特基二极管三维模型及电气模型,分别设计了250 GHz悬置微带线和普通微带线的二次谐波混频器。通过仿真设计与实物测试,对比分析两种结构混频器特性。测试结果表明,悬置微带线混频器在射频输入230～270 GHz范围内时,单边带变频损耗为8.6～12.7 dB,而普通微带线混频器在射频输入220～260 GHz范围内时,单边带变频损耗为8.4～11.4 dB。通过结果对比可见,悬置微带线混频器带宽较大,而普通微带线混频器的变频损耗更为平滑。此外,考虑微组装工艺中的不良因素,对仿真模型进行部分修正,计算结果与测试结果拟合较好。