X～Ku波段宽带驱动放大器设计

摘要

基于SiC衬底的0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一款X～Ku波段宽带1 W驱动放大器单片微波集成电路.设计使用了一种有源器件的大信号输出阻抗的等效RC模型验证了GaN HEMT工艺模型的准确性,并获得了不同尺寸的GaN HEMT的大信号输出阻抗.第一级管芯采用负反馈结构,降低匹配网络的Q值,通过带通匹配网络拓扑,实现了宽带匹配.测试结果表明,在28 V的工作电压下,8～18 GHz的频率内驱动放大器实现了输出功率大于30 dBm,功率附加效率大于21％,功率增益大于15 dB.芯片尺寸为:2.20 mm×1.45 mm.该芯片电路具有频带宽、效率高、尺寸小的特点,主要用于毫米波收发组件、无线通讯等领域,具有广泛的应用前景.