三腔渡越管振荡器高频结构的解析研究

范植开; 刘庆想; 刘锡三; 何琥; 邓仕钰

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三腔渡越管振荡器高频结构的解析研究

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从圆柱坐标系下Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔渡越管振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布的解析表达式.运用该解析法求得三腔渡越管振荡器的谐振频率与实验中测得的微波频率一致,求得的场分布与数值法得到的场分布十分吻合.

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来源
《强激光与粒子束》 |2000年第4期|491-496|共6页
作者
范植开; 刘庆想; 刘锡三; 何琥; 邓仕钰;
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作者单位

中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川省绵阳市919信箱1015分箱,621900;

中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川省绵阳市919信箱1015分箱,621900;

中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川省绵阳市919信箱1015分箱,621900;

中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川省绵阳市919信箱1015分箱,621900;

中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川省绵阳市919信箱1015分箱,621900;

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正文语种 chi
中图分类 TN751.2+3;
关键词
渡越管振荡器; 横磁模; 色散关系; 场分布; 解析法;

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