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张存波; 王弘刚; 张建德;
国防科学技术大学光电科学与工程学院,长沙410073;
高电子迁移率晶体管; 微波损伤; 击穿; 失效分析;
机译:高功率微波对AlGaAs / InGaAs假晶高电子迁移率晶体管的损伤模拟与实验研究
机译:ArF 193 nm激光剥离AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管的仿真和实验研究
机译:高功率微波对GaAs高电子迁移率晶体管的损伤效应及机理
机译:等离子体损伤特征的仿真与实验研究及精确损伤分析方法
机译:用于无损评估的微波成像技术:仿真和实验研究。
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:微波诱导热声断层扫描系统的集成仿真方法与实验研究
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。
机译:控制模型用于控制电路的仿真和实验研究。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的无损伤等离子体增强CVD钝化
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