硅纳米线尖端阵列的制备及其场发射性能研究

摘要

将银镜反应与金属催化化学刻蚀相结合,在室温附近成功地制备出了硅纳米线尖端阵列,其长度为4～7 μm,中间部分的直径在100～300 nm之间.该方法操作简单、高效、无毒、可控以及低成本,且不需要高温、复杂的设备,对环境也没有特殊要求.性能测试结果显示:该硅纳米材料能够有效实现电子发射,开启电场约为2.7 V/μm(电流密度10 μA/cm2处);硅纳米尖端阵列的场增强因子约为692,可应用在场发射器件之上.