13.5-14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量

蒲忠胜; 关秋云; 马军; 严冬

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13.5-14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量

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报道了在13.5-14.6MeV中子能区用活化法测得的76Ge(n,2n)75Ge,70Ge(n,2n)69Ge,70Ge(n,p)70Ga,72Ge(n,p)72Ga,73Ge(n,p)73Ga,72Ge(n,α)69mZn和74Ge(n,α)71mZn的反应截面值.中子注量用93Nb(n,2n)92mNb反应截面得到.单能中子由T(d,n)4He反应获得.同时还列举了已收集到的文献值以作比较.

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来源
《高能物理与核物理》|2006年第12期|1171-1174|共4页
作者
蒲忠胜; 关秋云; 马军; 严冬;
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作者单位

兰州理工大学理学院物理系,兰州,730050;

兰州理工大学理学院物理系,兰州,730050;

兰州理工大学理学院物理系,兰州,730050;

兰州理工大学理学院物理系,兰州,730050;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类原子核物理学、高能物理学;
关键词
锗; 中子反应; 反应截面; 活化法;
入库时间 2023-07-25 19:01:40

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