泡沫镍基底表面氢氧化镍电极材料的原位生长及其电化学性能测试

摘要

【目的】以泡沫镍网为基底和镍源,在温和条件下制备出低内阻的氢氧化镍电极材料。【方法】不加入任何镍源,应用两步活化法,在镍网表面原位生长出镍的氢氧化物,通过扫描电镜(SEM)对电极表面进行形貌分析,并进行电化学性能测试,探讨了活化方式、浸泡时间等影响因素对所得电极的形貌及电化学性能的影响。【结果】当电压窗口0~1.2 V,扫描圈数100圈,浸泡时间50 h所得电极在2 mA/cm2时,面积比电容高达1059 mF/cm2,远大于未活化或单一活化的电极。【结论】该方法温和、简单,原位生长的方式能够提高活性物质的机械附着性和利用率,为相关研究提供参考。