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RAM芯片; 4Gb; 三星电子公司; 制造工艺;
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机译:Strontium Tech推出4GB DDR3 1333 MHz模块
机译:韩国三星LPDDR4移动DRAM行业首款8GB PC 4GB DDR4性能是DDR4的两倍
机译:成本最低的双芯片DRAM封装,用于超高性能DDR3和DDR4多列服务器DIMM
机译:用于芯片到DRAM通信的射频互连的建筑应用。
机译:用于低延迟和低功耗3D堆叠DRAM的DRAM中缓存管理
机译:了解现代DRam芯片中的降压操作: 表征,分析和机制
机译:来自韩国的DRam和DRam模块。调查编号701-Ta-431(最终版)
机译:内存模块用于主板的动态随机存取存储器(DRAM),包括几个堆叠在输入输出芯片上的DRAM芯片,这些芯片通过穿透电极连接
机译:专门为CMOS电路,DRAM存储器芯片或嵌入式DRAM芯片中的扩散阻挡层,接触层和/或抗反射层生产的含金属层
机译:半导体存储系统具有动态RAM(DRAM),动态RAM(DRAM)响应于芯片复位信号和从存储控制器接收的非共享命令信号之一,生成镜像模式控制信号,以使DRAM在正常或镜像模式下运行
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