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电信设备; 正激变换器; 栅极驱动器; 电源产品; LLC谐振变换器; 有源钳位; MASTER; 数据中心;
机译:选择性GaN升华和局部区域再集成增强模式和耗尽模式Al(GA)N / GaN高电子移动晶体管
机译:Al0.3ga0.7n / GaN异质结构晶体管,具有重新研磨的P-GaN栅极,形成有选择区域Si植入作为再生掩模
机译:具有AlGaN / GaN驱动晶体管的单片集成GaN基发光二极管的选择性外延生长
机译:通过减少ronqoss的GaN晶体管通过GaN晶体管通过GaN晶体管进行高效的MHz级操作
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:基于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的高选择性和灵敏的磷酸根阴离子传感器通过离子印迹聚合物功能化
机译:基于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的高选择性和敏感性磷酸敏感性晶体管通过离子印迹聚合物官能化
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:GAN模式的GAN晶体管具有选择性和非选择性蚀刻层,可改善GAN间隔厚度
机译:具有选择性和非选择性刻蚀层的增强型GaN晶体管,用于改善GaN间隔层厚度的均匀性
机译:具有选择性和非选择性蚀刻层的增强型GaN晶体管,可提高GaN隔离层厚度的均匀性
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