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无限微热源法合成β-SiC粉体的温度场模拟

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采用ANSYS热分析软件对无限微热源法合成β-SiC粉体的温度分布进行模拟,得到了炉内不同时间温度分布图,并分析了合成炉内温度分布规律.

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来源
《甘肃科技》 |2009年第3期|52-54|共3页
作者
陆树河; 王晓刚;
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作者单位

西安科技大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710054;

西安科技大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710054;

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正文语种 chi
中图分类基础理论 ;
关键词
ANSYS; 温度场; 热分析 ; β-SiC;

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