不同间距比下错列双平板绕流流场的PIV测量与POD分析

摘要

运用粒子成像测速技术(PIV),在水洞中对亚临界雷诺数ReD=1×104时错列双平板绕流进行了测量,探索平板间距对绕流流场结构的影响.应用本征正交分解(POD)方法对绕流流场结构进行模态分解,提取流场相干结构.结果 表明:前4阶模态形态是流场中最主要的相干结构;流向间距T与法向间距H对错列平板绕流流场结构影响显著,随着平板间间距变化,错列平板绕流可分为间隙射流干涉、剪切层和尾流共同干涉、剪切层干涉3种模式.流向间距T/D=0、法向间距H/D=1时,平板间出现很强间隙射流结构,受间隙射流影响,上游平板剪切层与下游平板下表面剪切层包络混合,形成类似"单钝体"流动结构.