功率肖特基二极管静电损伤分析

摘要

从静电放电(ESD)导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因.结果表明:功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P+扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因(例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等)残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体(MOS)电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降.该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义.