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陈楠; 陈万军; 尚建蓉; 刘超; 李青岭; 孙瑞泽; 李肇基; 张波;
电子科技大学电子科学与工程学院 成都610054;
陆军装备部驻重庆地区军事代表局驻成都地区第二军事代表室 成都610054;
脉冲功率; 准矩形脉冲; 绝缘栅触发晶闸管; 电流上升率;
机译:新型具有肖特基势垒的绝缘栅触发晶闸管,可改善重复脉冲寿命并具有高 d / dt itali>特性
机译:基于变压器升压和绝缘栅双极晶体管触发控制的新型开关脉冲发生器
机译:具有反并联MOS控制晶闸管的新型反向导通绝缘栅双极晶体管
机译:具有高 $ di / dt $ tex>特性的4.5kV绝缘栅触发晶闸管(IGTT),用于脉冲电源应用
机译:新型基于氮化硅的电荷陷阱栅功率半导体器件。
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:新型功率半导体绝缘栅双极晶体管(IGBT)特性研究及其在汽车点火中的应用
机译:绝缘栅晶闸管,例如FET控制晶闸管,用于功率开关
机译:大功率绝缘栅晶体管电路-具有额外的电容器和晶闸管,该电容器和晶闸管由整流器过电流在直流电压源上串联产生
机译:限制可开关功率半导体开关集电极上的电势的方法绝缘栅双极型晶体管(IGBET),MOSFET,晶闸管的硬驱动栅匝(HDGTO)等到预设值
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