C波段400 W GaN内匹配功率管研制

摘要

基于AlGaN/GaN HEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗.设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配.该大功率GaN HEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16 mm.在50 V漏电压、1 ms周期、10％占空比的测试条件下及5.3～5.9 GHz频率范围内,输出功率均高于56 dBm,最高达到56.5 dBm,功率增益均大于12 dB,带内功率附加效率超过48.2％.