化合物晶体管、砷化镓晶体管属于《中国图书分类法》中的六级类目,该分类相关的期刊文献有19篇等,化合物晶体管、砷化镓晶体管的主要作者有刘新宇、刘果果、张鹤鸣,化合物晶体管、砷化镓晶体管的主要机构有南京电子器件研究所、西安电子科技大学、中国科学院微电子研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、
1.[期刊]
摘要: 对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特...
2.[期刊]
具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制
摘要: 研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-7Ω·c...
3.[期刊]
摘要: 研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1...
4.[期刊]
摘要: 为了简化后期栅极驱动电路设计、降低成本,工业界对增强型高电子迁移率晶体管的需求与日俱增.采用p型栅结构制备增强型器件的方法是目前极有前景的一种增强型方法.该方...
5.[期刊]
摘要: 研制了一款C波段连续波大功率GaN内匹配功率管.设计采用4个12 mm栅宽GaN高电子迁移率(HEMT)管芯合成输出,功率管总栅宽4mmx12mm.利用负载牵...
6.[期刊]
摘要: GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具...
7.[期刊]
一种二酮吡咯并吡咯半导体的合成、表征及在有机薄膜晶体管中的应用
摘要: 将4-癸基十六烷基引入到3,6-二-(呋喃-2-基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(DBF)后,与5,5'-双(三甲基锡烷基)噻吩通过S...
8.[期刊]
最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT
摘要: A gate-recessed AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on sapphire ...
9.[期刊]
摘要: 为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表...
10.[期刊]
摘要: 为了降低接收机前端的噪声,设计了一种超宽带低噪声放大器.选用噪声较小、增益较高且工作电流较低的放大管,利用负反馈和宽带匹配技术,结合ADS和HFSS微波软件辅...
11.[期刊]
摘要: 针对在LTCC基板与壳体大面积金锡焊接可能出现的焊料溢出和堆积问题,提出了几种针对性的开槽或基板下沉控制焊料流淌的方法并进行了讨论.最终实现了无溢出焊接,X射...
12.[期刊]
摘要: 基于AlGaN/GaN HEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗.设计中首先通过...
13.[期刊]
摘要: 利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管.器件展现出良好的直流和高频特性.对于发射极面积为2μm×15μm...
14.[期刊]
摘要: GaN high electron mobility transistors(HEMTs) are difficult to model because of...
15.[期刊]
摘要: 在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩...
16.[期刊]
摘要: 介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点....
17.[期刊]
摘要: 以蓝宝石为衬底研制出栅长1μm AlGaN/GaN HEMT导160mS/ mm,栅压.在室温下,测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性,最大跨1V下...
18.[期刊]
摘要: 采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27G...
19.[期刊]
0.5μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
摘要: A high electron mobility transistor of GaN metal oxide semiconductor with 0.5μm...