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三端微波器件专利申请态势分析

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摘要

对微波器件中的主要三端微波器件(包括HBT、HEMT、MESFET)在全球范围内的相关专利申请进行了统计,着重对主要申请人、申请国和审查国的专利申请分布进行了静态分析,并使用时间序列分析法对主要申请人、申请国和审查国历年的专利申请分布状况进行动态分析,最终给出了国内相关产业发展的建议.

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来源
《电子知识产权》|2008年第8期|58-61,66|共5页
作者
白志昀; 赵学武;
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作者单位

信息产业部电子知识产权咨询服务中心;

信息产业部电子知识产权咨询服务中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类法律;
关键词
微波器件; 专利申请人; 申请国; 审查国;
入库时间 2023-07-25 12:47:38

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