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转让90nm DRAM沟槽技术英飞凌携手中芯国际跨入90nm时代

     

摘要

DRAM在2005年经历价格下跌的寒冬之后,有望在2006年迎来又一个春天。日前,英飞凌与中芯国际就DRAM产品的签署协议,将进一步拓展两者的合作,开始90nm技术的DRAM生产。

著录项

  • 来源
    《电子测试》|2006年第2期|86|共1页
  • 作者

    李敏;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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