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肖小虎; 高珊; 陈军宁; 柯导明;
安徽大学电子科学与技术学院;
横向扩散金属氧化物半导体; 多晶硅场板; 表面电场; 表面电势;
机译:SOI基板上的120 V叉指漏极LDMOS(IDLDMOS)突破功率LDMOS限制
机译:CDMA无线基站应用中与功率电平有关的双工作模式LDMOS功率放大器
机译:基于LDMOS的风廓线雷达应用的功率放大器设计
机译:一种功率IC技术,具有出色的沟槽隔离和通过锥形TEOS场氧化物形成的p-LDMOS晶体管
机译:大信号电热LDMOSFET建模以及RF功率放大器中的热存储效应。
机译:基于热阻传感器的LDMOS通道温度计用于平衡单片功率IC中的温度
机译:非线性嵌入设计方法面向LDMOS功率放大器
机译:在孵化场和自然和孵化场环境中评估野生和孵化场的生殖成功率。 2008年年度报告
机译:使用偏置纵向场板,LDMOS晶体管和制造LDMOS晶体管的方法的LDMOS晶体管的漂移区域场控制。
机译:使用偏置纵向场板,LDMOS晶体管和制造LDMOS晶体管的方法对LDMOS晶体管进行漂移区域场控制
机译:如此设计和制造的verzoegerungsleitung用于桶形场高功率弯曲的构造设计和构造以及用于弯曲高功率的桶形场的构造设计和构造
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