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张瑞; 李建欣;
中国电子科技集团公司第38研究所微波部,安徽合肥230088;
国家无线电监测中心,北京100037;
高效率; F-1类; 功率放大器; 功率附加效率;
机译:MOSFET的栅极到漏极和漏极到源极的寄生电容对E / F 3 sub>类功率放大器的性能的影响
机译:低漏极电压下E类功率放大器的效率增强
机译:在任何分级系数下均考虑MOSFET非线性漏极至源极电容和非线性栅极至漏极电容的E类功率放大器设计
机译:在GaAs MESFET上的微波F级功率放大器中实现最大平坦漏极电流和漏极电压波形的条件
机译:高线性功率放大器的漏极偏置
机译:具有改善的漏极电流密度和高击穿电压的高性能AlGaN双通道HEMT
机译:13.56 MHz高效率C类功率放大器,低漏极电压
机译:评估低漏极Nuvistor振荡放大器三极管
机译:测量电流的方法,涉及通过使用运算放大器使开关晶体管的漏极-源极电压对应于去耦晶体管的漏极-源极电压。
机译:用于B类放大器的B类高频发射器,包括电压源极,该电压源极与有源元件固定连接,其中另一个电压源极通过直流导电感应网络供电
机译:低功率电压放大器,特别是用于X射线或伽马射线探测器的放大器,具有MOS晶体管,其漏极和源极连接有电流发生器和电容器
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