机译:新型高功率平面栅极GaAs MESFET具有改善的栅极-漏极击穿电压
机译:亚微米级栅极离子注入的GaAs MESFET的高漏极电流-电压乘积,用于毫米波操作
机译:用于数字手持电话的工作在3.3V漏极电压的GaAs功率MESFET
机译:GaAs MesfeT上微波F级功率放大器中最大漏电流量和漏极电压波形的成果条件
机译:高线性功率放大器的漏极偏置
机译:具有改善的漏极电流密度和高击穿电压的高性能AlGaN双通道HEMT
机译:用于数字手持电话的3.3V漏极电压的Gaas功率mEsFET
机译:栅极漏极几何对Gaas mEsFET电流电压特性的影响。