用于高频步进DC／DC的升压开关

摘要

cqvip:FDFME3N311ZT结合了30V集成式N沟道Power Trench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值55pF）和总体栅极电荷（InC）。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小，可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。