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顶浇; 非晶体硅; 薄膜晶体管; 传输线模型;
机译:传输线法研究非晶硅-锌-锡-氧化物薄膜晶体管与不同电极之间的接触电阻
机译:顶栅纳米晶硅薄膜晶体管的阈值电压不稳定性模型
机译:使用Ashby法,VIKOR法和TOPSIS法研究纳米晶硅(nc-Si)顶栅薄膜晶体管(TFT)中栅极电介质的材料选择
机译:顶栅非晶硅薄膜晶体管的传输线模型测试
机译:顶栅纳米晶体硅薄膜晶体管。
机译:电解顶浇石墨烯建模
机译:顶栅非晶硅薄膜晶体管的传输线模型试验
机译:缺陷态空间位置对非晶硅和多晶硅薄膜晶体管开关特性的影响:amps 2-D的数值模拟
机译:使用非晶体硅薄膜晶体管操作的门致动电路集成液晶显示器
机译:CMOS薄膜晶体管,其制造方法以及有机发光显示装置,该有机发光显示装置具有层叠的具有顶栅构造的PMOS多晶硅薄膜晶体管和具有倒置交错的底栅构造的NMOS氧化物薄膜晶体管
机译:一种利用硅的自匹配结晶与金属的自匹配结晶的半导体器件用于TFT,顶栅形式TFT的空顶栅形式的薄膜晶体管的生产方法
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